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今泉 充*; 百合 庸介; Bolton, P.; 佐藤 真一郎; 大島 武
Proceedings of 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-38) (CD-ROM), p.002831 - 002834, 2012/00
InGaP/GaAs/Ge三接合(3J)太陽電池にさまざまな方法で高エネルギー陽子線を照射して劣化挙動を調べた。多重マグネットを用いた拡大均一陽子線を用いた照射により得られた3J太陽電池の特性劣化を、従来のスキャンビームを用いた陽子線照射の結果と比較した。その結果、両者とも劣化挙動には差異は見られなかった。このことより、いずれの方法を用いたとしても宇宙用太陽電池の劣化予測が可能であると判断できた。加えて、レーザー誘起陽子線の宇宙用太陽電池の劣化評価への応用の可能性を検討した。レーザー誘起放射線発生技術では、従来の単一エネルギーでの照射と異なり、実宇宙に近いスペクトルを有する陽子線が発生できることから、宇宙用太陽電池の劣化評価に応用可能であると結論できた。
佐藤 真一郎; Beernink, K.*; 大島 武
Proceedings of 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-38) (CD-ROM), p.002856 - 002861, 2012/00
a-Si/a-SiGe/a-SiGe三接合太陽電池は低コストで生産が可能で、薄膜軽量であるというメリットを持つことから、宇宙用太陽電池への応用が期待されている。今回、20-350keV陽子線照射による電気特性劣化及び室温での回復効果を調べ、陽子線のエネルギーによって劣化曲線の形状に差異が生じることを明らかにした。また、短絡電流,開放電圧,曲線因子といった太陽電池特性を示すパラメータのすべてが、照射後室温で放置すると回復することを明らかにした。特に短絡電流の回復が大きかったが、これは陽子線照射によって生成した欠陥が室温で回復することでキャリアの拡散長が大きくなったことが原因である。
中村 徹哉*; 今泉 充*; 佐藤 真一郎; 大島 武
Proceedings of 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-38) (CD-ROM), p.002846 - 002850, 2012/00
エレクトロルミネッセンス法を用いた多接合太陽電池におけるサブセルの電流・電圧特性の予測法を用いて、陽子線照射によって劣化したInGaP/GaAs二接合太陽電池の暗状態での電流・電圧特性及び光照射下での電流・電圧特性を見積もった。それに加え、電気回路シミュレータを用いて直列抵抗成分とシャント抵抗成分を見積もると、実験結果をよく再現できることを明らかにした。また、照射量の増加に伴う発電特性の劣化は本研究の劣化予測法を用いることで非常によく再現できること、ある照射量において電流制限セルがInGaPトップセルからGaAsボトムセルに変化することも明らかにした。
